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PJD4NA65_L2_00001

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650V N-CHANNEL MOSFET

非準拠

PJD4NA65_L2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.92000 $0.92
500 $0.9108 $455.4
1000 $0.9016 $901.6
1500 $0.8924 $1338.6
2000 $0.8832 $1766.4
2500 $0.874 $2185
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.7Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 11.4 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 463 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 77W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

NVTFS5C471NLWFTAG
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$0 $/ピース
TK16J60W5,S1VQ
RJK0348DSP-WS#J0
RM5N60S4
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IRF710B
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$0 $/ピース
IRFR214PBF-BE3
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BSO065N03MSGXUMA1
DMTH10H015LK3-13
NTMFS5C670NT1G
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BUK653R2-55C,127
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