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PJD50P04_L2_00001

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40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJD50P04_L2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.84000 $0.84
500 $0.8316 $415.8
1000 $0.8232 $823.2
1500 $0.8148 $1222.2
2000 $0.8064 $1612.8
2500 $0.798 $1995
3000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A (Ta), 50A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 23 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2767 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 63W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

CSD18537NKCS
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$0 $/ピース
NTMFS5C442NLTT3G
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$0 $/ピース
RM150N100ADF
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$0 $/ピース
IXTQ26P20P
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$0 $/ピース
AON7380
NVBG080N120SC1
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$0 $/ピース
IXFN44N100Q3
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SIS106DN-T1-GE3
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$0 $/ピース
PJD45P04-AU_L2_000A1

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