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SIS106DN-T1-GE3

SIS106DN-T1-GE3

SIS106DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK

compliant

SIS106DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.49823 -
6,000 $0.47484 -
15,000 $0.45813 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9.8A (Ta), 16A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 18.5mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 13.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 540 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.2W (Ta), 24W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
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関連部品番号

PJD45P04-AU_L2_000A1
DMT10H072LFDF-13
IRF614SPBF
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$0 $/ピース
SI3430DV-T1-GE3
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$0 $/ピース
RM42N200DF
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$0 $/ピース
SQS460ENW-T1_GE3
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$0 $/ピース
MTW16N40E
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$0 $/ピース
PJC7410_R1_00001
PJP4NA65_T0_00001

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