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PJD80N04_L2_00001

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PJD80N04_L2_00001

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJD80N04_L2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.76000 $0.76
500 $0.7524 $376.2
1000 $0.7448 $744.8
1500 $0.7372 $1105.8
2000 $0.7296 $1459.2
2500 $0.722 $1805
3000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 14A (Ta), 80A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 5.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 25 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1258 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 66W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

IPI100N04S4H2AKSA1
SI8802DB-T2-E1
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$0 $/ピース
IRFD9020PBF
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$0 $/ピース
RV1C001ZPT2L
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$0 $/ピース
STW65N65DM2AG
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$0 $/ピース
IRF520PBF
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$0 $/ピース
RJK03B8DPA-00#J53
CSD18514Q5AT
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$0 $/ピース
FDP4030L
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$0 $/ピース
AUIRLR3410TRL

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