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PJD9N10A_L2_00001

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100V N-CHANNEL MOSFET

compliant

PJD9N10A_L2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.58000 $0.58
500 $0.5742 $287.1
1000 $0.5684 $568.4
1500 $0.5626 $843.9
2000 $0.5568 $1113.6
2500 $0.551 $1377.5
11682 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.4A (Ta), 9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 152mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1021 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 31W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

RF1S45N06LE
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RFP15P05
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RM6A5N30S6
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RFP15N05L
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DMN3032LE-13
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SSM3K36FS,LF
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