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PJD9P06A_L2_00001

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60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJD9P06A_L2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
2950 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.5A (Ta), 7A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 190mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 8.3 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 430 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 15.6W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

IRFB9N65APBF
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STP31N65M5
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STL140N6F7
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NVMJS0D9N04CLTWG
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