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PJMB130N65EC_R2_00601

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650V/ 130MOHM / 29A/ EASY TO DRI

compliant

PJMB130N65EC_R2_00601 価格と注文

単価 外貨価格
1 $4.53000 $4.53
500 $4.4847 $2242.35
1000 $4.4394 $4439.4
1500 $4.3941 $6591.15
2000 $4.3488 $8697.6
2500 $4.3035 $10758.75
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 29A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 130mOhm @ 10.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1920 pF @ 400 V
FET機能 -
消費電力(最大) 235W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

DMN3061LCA3-7
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$0 $/ピース
DMP2010UFV-13
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$0 $/ピース
DMNH6042SPDQ-13
IRF541
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$0 $/ピース
DMN3009SFG-13
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$0 $/ピース
N0603N-S23-AY
IPA060N06NM5SXKSA1
TK065Z65Z,S1F
2SK681A-AZ
RFG30P05
RFG30P05
$0 $/ピース

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