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PJP7NA65_T0_00001

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650V N-CHANNEL MOSFET

非準拠

PJP7NA65_T0_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.49000 $1.49
500 $1.4751 $737.55
1000 $1.4602 $1460.2
1500 $1.4453 $2167.95
2000 $1.4304 $2860.8
2500 $1.4155 $3538.75
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.5Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 16.8 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 754 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 145W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

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IRF2807ZPBF
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FDI8442
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IXTQ50N20P
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SIHP7N60E-E3
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