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PJP8NA65A_T0_00001

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650V N-CHANNEL MOSFET

SOT-23

非準拠

PJP8NA65A_T0_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.10000 $1.1
500 $1.089 $544.5
1000 $1.078 $1078
1500 $1.067 $1600.5
2000 $1.056 $2112
2500 $1.045 $2612.5
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7.5A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1245 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 145W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

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IXFN39N90
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CSD18534Q5AT
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IRF9610STRRPBF
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