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PJQ4442P_R2_00001

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PJQ4442P_R2_00001

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJQ4442P_R2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.78000 $0.78
500 $0.7722 $386.1
1000 $0.7644 $764.4
1500 $0.7566 $1134.9
2000 $0.7488 $1497.6
2500 $0.741 $1852.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12.7A (Ta), 50A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 7.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 17 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1759 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 45W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DFN3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

MCAC80N10Y-TP
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RM12N650LD
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STP11NM60FD
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NTAT6H406NT4G
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2V7002LT1G
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STB8NM60T4
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IXFH16N50P
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SFT1458-H
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FDB0690N1507L
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$0 $/ピース
IPI90R500C3XKSA2

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