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PJQ4460AP_R2_00001

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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

非準拠

PJQ4460AP_R2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.7A (Ta), 11A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 72mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 9.3 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 509 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 20W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DFN3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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