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PJQ5423_R2_00001

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PJQ5423_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJQ5423_R2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.76000 $0.76
500 $0.7524 $376.2
1000 $0.7448 $744.8
1500 $0.7372 $1105.8
2000 $0.7296 $1459.2
2500 $0.722 $1805
2647 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 11A (Ta), 60A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 27 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3228 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 63W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DFN5060-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

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SIHG186N60EF-GE3
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C3M0120100J
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IRF6678TRPBF
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