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PJS6602_S2_00001

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20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO

非準拠

PJS6602_S2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.49000 $0.49
500 $0.4851 $242.55
1000 $0.4802 $480.2
1500 $0.4753 $712.95
2000 $0.4704 $940.8
2500 $0.4655 $1163.75
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel Complementary
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.2A (Ta), 3.4A (Ta)
rds オン (最大) @ id、vgs 36mOhm @ 5.2A, 4.5V, 82mOhm @ 3.4A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 4.1nC @ 4.5V, 7nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 396pF @ 10V, 522pF @ 10V
パワー - 最大 1.25W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-6
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関連部品番号

MRF8S9170NR3,528
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$0 $/ピース
SI3900DV-T1-GE3
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DMC2710UDWQ-13
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$0 $/ピース
MC7252KDW-TP
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$0 $/ピース
SISF20DN-T1-GE3
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$0 $/ピース
SH8K10SGZETB
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PMDPB30XN,115
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UPA603T-T2-A
CSD83325LT
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SIZF928DT-T1-GE3
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$0 $/ピース

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