ichome.comへようこそ!

logo

PJW4N06A_R2_00001

PJW4N06A_R2_00001

PJW4N06A_R2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

非準拠

PJW4N06A_R2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.49000 $0.49
500 $0.4851 $242.55
1000 $0.4802 $480.2
1500 $0.4753 $712.95
2000 $0.4704 $940.8
2500 $0.4655 $1163.75
1995 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 100mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 5.1 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 509 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.1W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-223
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

SI7106DN-T1-GE3
SI7106DN-T1-GE3
$0 $/ピース
SI4134DY-T1-E3
SI4134DY-T1-E3
$0 $/ピース
SIDR170DP-T1-RE3
SIDR170DP-T1-RE3
$0 $/ピース
IPP050N10NF2SAKMA1
NVGS4111PT1G
NVGS4111PT1G
$0 $/ピース
RCJ050N25TL
RCJ050N25TL
$0 $/ピース
FCPF9N60NTYDTU
FCPF9N60NTYDTU
$0 $/ピース
IPI65R190C
IPI65R190C
$0 $/ピース
STF11NM60ND
STF11NM60ND
$0 $/ピース
SSM3K56CT,L3F

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。