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PJW5N06A_R2_00001

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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

SOT-23

非準拠

PJW5N06A_R2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.54000 $0.54
500 $0.5346 $267.3
1000 $0.5292 $529.2
1500 $0.5238 $785.7
2000 $0.5184 $1036.8
2500 $0.513 $1282.5
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 75mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 9.3 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 509 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.1W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-223
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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関連部品番号

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SIRA18BDP-T1-GE3
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FDMT800100DC
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