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P3M06300T3

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SICFET N-CH 650V 9A TO-220-3

compliant

P3M06300T3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $4.98000 $4.98
500 $4.9302 $2465.1
1000 $4.8804 $4880.4
1500 $4.8306 $7245.9
2000 $4.7808 $9561.6
2500 $4.731 $11827.5
2000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 15V
rds オン (最大) @ id、vgs 500mOhm @ 4.5A, 15V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 5mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) +20V, -8V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 35W
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-2L
パッケージ/ケース TO-220-2
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