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RM12N650IP

RM12N650IP

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Rectron USA

MOSFET N-CH 650V 11.5A TO251

compliant

RM12N650IP 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.54000 $0.54
500 $0.5346 $267.3
1000 $0.5292 $529.2
1500 $0.5238 $785.7
2000 $0.5184 $1036.8
2500 $0.513 $1282.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 11.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 360mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 870 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 101W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-251
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak
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関連部品番号

BSC500N20NS3GATMA1
BSS214NH6327XTSA1
IPP120P04P4L03AKSA2
STD6N62K3
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$0 $/ピース
BSS123LT1G
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$0 $/ピース
MTD2N40ET4
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$0 $/ピース
IXFT340N075T2
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$0 $/ピース
SK830321KL
FQP6N60C
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$0 $/ピース
IRFBC20STRLPBF
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$0 $/ピース

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