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RM35N30DF

RM35N30DF

RM35N30DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 35A 8DFN

RM35N30DF データシート

compliant

RM35N30DF 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.27000 $0.27
500 $0.2673 $133.65
1000 $0.2646 $264.6
1500 $0.2619 $392.85
2000 $0.2592 $518.4
2500 $0.2565 $641.25
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 35A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 7mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2330 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 40W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-DFN (5x6)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

BUK7E1R6-30E,127
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IXTP120P065T
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NTMTS0D7N04CTXG
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IRFW730BTM
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STD12N60DM6
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IXTP100N15X4
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3N163 DIE
R6011KND3TL1
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APT22F80B
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SIHB5N80AE-GE3
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