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RM35P30LD

RM35P30LD

RM35P30LD

Rectron USA

MOSFET P-CHANNEL 30V 35A TO252-2

SOT-23

RM35P30LD データシート

非準拠

RM35P30LD 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.14500 $0.145
500 $0.14355 $71.775
1000 $0.1421 $142.1
1500 $0.14065 $210.975
2000 $0.1392 $278.4
2500 $0.13775 $344.375
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 35A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 20mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1345 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 34.7W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252-2
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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