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RM4N650TI

RM4N650TI

RM4N650TI

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO220F

RM4N650TI データシート

非準拠

RM4N650TI 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.42000 $0.42
500 $0.4158 $207.9
1000 $0.4116 $411.6
1500 $0.4074 $611.1
2000 $0.4032 $806.4
2500 $0.399 $997.5
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 280 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 28.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220F
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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