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RM5N650LD

RM5N650LD

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Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252-2

RM5N650LD データシート

非準拠

RM5N650LD 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.45000 $0.45
500 $0.4455 $222.75
1000 $0.441 $441
1500 $0.4365 $654.75
2000 $0.432 $864
2500 $0.4275 $1068.75
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 900mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 460 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 49W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252-2
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

PSMN3R7-25YLC,115
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$0 $/ピース
FQB33N10LTM
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CPH3350-TL-W
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RSR025P03TL
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NTMYS4D1N06CLTWG
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SQ4080EY-T1_GE3
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FCMT299N60
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