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H5N3011P80-E#T2

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H5N3011P80-E#T2

N-CHANNEL POWER MOSFET

非準拠

H5N3011P80-E#T2 価格と注文

単価 外貨価格
1 $12.62000 $12.62
500 $12.4938 $6246.9
1000 $12.3676 $12367.6
1500 $12.2414 $18362.1
2000 $12.1152 $24230.4
2500 $11.989 $29972.5
4770 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ -
テクノロジー -
ドレイン-ソース電圧 (vdss) -
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c -
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs -
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) -
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) -
動作温度 -
取り付けタイプ -
サプライヤーデバイスパッケージ -
パッケージ/ケース -
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関連部品番号

SI4842BDY-T1-GE3
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NDD60N900U1T4G
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IPS105N03LG
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APT10090BFLLG
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STD9NM40N
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