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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 55A (Ta) |
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) | - |
rds オン (最大) @ id、vgs | 3.6mOhm @ 27.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ id | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 33 nC @ 4.5 V |
vgs (最大) | - |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 5180 pF @ 10 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 30W (Tc) |
動作温度 | 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Surface Mount |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-LFPAK-iV |
パッケージ/ケース | 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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