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SQM100N04-2M7_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 100A TO263

非準拠

SQM100N04-2M7_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
800 $1.35564 $1084.512
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 145 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 7910 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 157W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263 (D²Pak)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

DMTH47M2LPSW-13
STW69N65M5-4
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NVH4L018N075SC1
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SSM3J35MFV,L3F
SIDR220EP-T1-RE3
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RM45N600T7
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NVMFS5C426NAFT3G
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