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HAT2168HWS-E

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MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK

非準拠

HAT2168HWS-E 価格と注文

単価 外貨価格
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2500 $0 $0
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 7.9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 11 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1730 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 15W (Tc)
動作温度 150°C
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ LFPAK
パッケージ/ケース SC-100, SOT-669
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