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RJK6014DPP-E0#T2

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

compliant

RJK6014DPP-E0#T2 価格と注文

単価 外貨価格
1 $5.12000 $5.12
500 $5.0688 $2534.4
1000 $5.0176 $5017.6
1500 $4.9664 $7449.6
2000 $4.9152 $9830.4
2500 $4.864 $12160
5107 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 16A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 575mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1800 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 35W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220FP
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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