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RJM0603JSC-00#12

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MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP

非準拠

RJM0603JSC-00#12 価格と注文

単価 外貨価格
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET機能 Logic Level Gate, 4.5V Drive
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20A
rds オン (最大) @ id、vgs 20mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 43nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2600pF @ 10V
パワー - 最大 54W
動作温度 175°C
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ 20-HSOP
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