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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 204A (Tc) |
| rds オン (最大) @ id、vgs | - |
| vgs(th) (最大) @ id | 4V @ 35.2mA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | - |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 23000pF @ 10V |
| パワー - 最大 | 1130W |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | - |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Module |
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