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QS8M12TCR

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Rohm Semiconductor

MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8

QS8M12TCR データシート

非準拠

QS8M12TCR 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.31175 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A
rds オン (最大) @ id、vgs 42mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 3.4nC @ 5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 250pF @ 10V
パワー - 最大 1.5W
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ TSMT8
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