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名前 | 価値 |
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製品ステータス | Active |
FETタイプ | N and P-Channel |
FET機能 | Standard |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 60V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 3A (Ta), 2A (Ta) |
rds オン (最大) @ id、vgs | 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V |
vgs(th) (最大) @ id | 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 270pF @ 10V, 750pF @ 10V |
パワー - 最大 | 1.1W (Ta) |
動作温度 | 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
サプライヤーデバイスパッケージ | TSMT8 |
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