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R6030ENXC7G

R6030ENXC7G

R6030ENXC7G

Rohm Semiconductor

600V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW

非準拠

R6030ENXC7G 価格と注文

単価 外貨価格
1 $6.88000 $6.88
500 $6.8112 $3405.6
1000 $6.7424 $6742.4
1500 $6.6736 $10010.4
2000 $6.6048 $13209.6
2500 $6.536 $16340
996 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 130mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 85 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2100 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 86W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220FM
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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関連部品番号

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