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R6530ENZ4C13

R6530ENZ4C13

R6530ENZ4C13

Rohm Semiconductor

650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER

非準拠

R6530ENZ4C13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $7.18000 $7.18
500 $7.1082 $3554.1
1000 $7.0364 $7036.4
1500 $6.9646 $10446.9
2000 $6.8928 $13785.6
2500 $6.821 $17052.5
486 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 140mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 960µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2100 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 305W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247G
パッケージ/ケース TO-247-3
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関連部品番号

SIHP28N65EF-GE3
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SUM60020E-GE3
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IRFI9630GPBF
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IXTA102N15T-TRL
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SI3458BDV-T1-E3
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SI3456DDV-T1-E3
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NTD20N06L-001
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