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R8009KNXC7G

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R8009KNXC7G

Rohm Semiconductor

HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A

非準拠

R8009KNXC7G 価格と注文

単価 外貨価格
1 $4.36000 $4.36
500 $4.3164 $2158.2
1000 $4.2728 $4272.8
1500 $4.2292 $6343.8
2000 $4.1856 $8371.2
2500 $4.142 $10355
1985 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 600mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 5mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 27 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 900 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 59W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220FM
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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