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RFN1LAM6STR

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Rohm Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

非準拠

RFN1LAM6STR 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.08760 -
6,000 $0.07884 -
15,000 $0.07008 -
30,000 $0.06570 -
75,000 $0.06132 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Standard
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 600 V
電流 - 平均整流 (io) 800mA
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.45 V @ 800 mA
スピード Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間 (trr) 35 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 1 µA @ 600 V
静電容量 @ vr、f -
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOD-128
サプライヤーデバイスパッケージ PMDTM
動作温度 - 接合部 150°C (Max)
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関連部品番号

JAN1N4150UR-1/TR
ES1GFS
RF505BGE6STL
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$0 $/ピース
SB250
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$0 $/ピース
NXPSC166506Q
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$0 $/ピース
GS1R-LTP
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$0 $/ピース
MBR120VLSFT1G
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$0 $/ピース
ES1DL M2G
JANTXV1N4500
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