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RQ3E160ADTB1

RQ3E160ADTB1

RQ3E160ADTB1

Rohm Semiconductor

NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET

compliant

RQ3E160ADTB1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.66000 $1.66
500 $1.6434 $821.7
1000 $1.6268 $1626.8
1500 $1.6102 $2415.3
2000 $1.5936 $3187.2
2500 $1.577 $3942.5
6000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 16A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.5mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2550 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-HSMT (3.2x3)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

2SJ356(0)-T1-AZ
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DMN1017UCP3-7
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DMT6010LPS-13
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