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RQ3E180AJTB

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT

SOT-23

非準拠

RQ3E180AJTB 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.40530 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18A (Ta), 30A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 11mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 39 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4290 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 30W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-HSMT (3.2x3)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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