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RS1E200BNTB

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

非準拠

RS1E200BNTB 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.18910 -
5,000 $0.17690 -
12,500 $0.17080 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 59 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3100 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3W (Ta), 25W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-HSOP
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

SIHD3N50DT1-GE3
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$0 $/ピース
IRLR8729TRPBF
STD6N90K5
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IRFML8244TRPBF
STD52P3LLH6
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FDMC7696
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AOB10N60L
STFI6N62K3
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