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RS1P600BHTB1

RS1P600BHTB1

RS1P600BHTB1

Rohm Semiconductor

NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

compliant

RS1P600BHTB1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.59450 $1.5945
500 $1.578555 $789.2775
1000 $1.56261 $1562.61
1500 $1.546665 $2319.9975
2000 $1.53072 $3061.44
2500 $1.514775 $3786.9375
2500 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18A (Ta), 60A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8.8mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4080 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3W (Ta), 35W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-HSOP
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

HUF76139S3
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$0 $/ピース
RF1S9530
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$0 $/ピース
2SK2158(0)-T1B-A
NVMFS003P03P8ZT1G
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$0 $/ピース
BSB280N15NZ3G
IXFA10N60P-TRL
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$0 $/ピース
MTY14N100E
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DMT64M1LCG-13
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IRF641
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$0 $/ピース
G65P06D5
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$0 $/ピース

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