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SI8275DB-IM1R

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SI8275DB-IM1R

4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

非準拠

SI8275DB-IM1R 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.27000 $3.27
500 $3.2373 $1618.65
1000 $3.2046 $3204.6
1500 $3.1719 $4757.85
2000 $3.1392 $6278.4
2500 $3.1065 $7766.25
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
テクノロジー Capacitive Coupling
チャンネル数 2
電圧 - 絶縁 2500Vrms
コモンモード過渡耐性(最小) 150kV/µs
伝播遅延 tplh / tphl (最大) 60ns, 60ns
パルス幅歪み(最大) 8ns
上昇/下降時間(標準) 10.5ns, 13.3ns
電流 - 出力高、低 1.8A, 4A
電流 - ピーク出力 4A
電圧 - 順方向 (vf) (typ) -
電流 - 直流順方向(if)(最大) -
電圧 - 出力供給 4.2V ~ 30V
動作温度 -40°C ~ 125°C
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 14-VDFN
サプライヤーデバイスパッケージ 14-QFN (5x5)
承認機関 CQC, CSA, UL, VDE
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