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SI8275DBD-IS1

SI8275DBD-IS1

SI8275DBD-IS1

4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

非準拠

SI8275DBD-IS1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $5.53000 $5.53
500 $5.4747 $2737.35
1000 $5.4194 $5419.4
1500 $5.3641 $8046.15
2000 $5.3088 $10617.6
2500 $5.2535 $13133.75
14 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
テクノロジー Capacitive Coupling
チャンネル数 2
電圧 - 絶縁 2500Vrms
コモンモード過渡耐性(最小) 200kV/µs
伝播遅延 tplh / tphl (最大) 75ns, 75ns
パルス幅歪み(最大) 8ns
上昇/下降時間(標準) 10.5ns, 13.3ns
電流 - 出力高、低 1.8A, 4A
電流 - ピーク出力 4A
電圧 - 順方向 (vf) (typ) -
電流 - 直流順方向(if)(最大) -
電圧 - 出力供給 4.2V ~ 30V
動作温度 -40°C ~ 125°C
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 16-SOIC
承認機関 CQC, CSA, UL, VDE
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