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TSM180N03PQ33 RGG

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MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN

非準拠

TSM180N03PQ33 RGG 価格と注文

単価 外貨価格
5,000 $0.16110 -
10,000 $0.15554 -
39 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 25A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 18mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 4.1 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 345 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 21W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-PDFN (3x3)
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
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