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SIR112DP-T1-RE3

SIR112DP-T1-RE3

SIR112DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK

compliant

SIR112DP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.65321 -
6,000 $0.62254 -
15,000 $0.60064 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 37.6A (Ta), 133A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.96mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 89 nC @ 10 V
vgs (最大) +20V, -16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4270 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5W (Ta), 62.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

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SIHA15N80AEF-GE3
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SI8472DB-T2-E1
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