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TSM60N1R4CH C5G

TSM60N1R4CH C5G

TSM60N1R4CH C5G

MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251

SOT-23

非準拠

TSM60N1R4CH C5G 価格と注文

単価 外貨価格
15,000 $0.46032 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Not For New Designs
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.7 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 370 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 38W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-251 (IPAK)
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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