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CSD19537Q3

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Texas Instruments

MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON

非準拠

CSD19537Q3 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.50540 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 50A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 14.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.6V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1680 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.8W (Ta), 83W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-VSON (3.3x3.3)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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