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TPS1120DR

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Texas Instruments

MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

TPS1120DR データシート

非準拠

TPS1120DR 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.90580 -
1749 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 P-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 15V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.17A
rds オン (最大) @ id、vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 5.45nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
パワー - 最大 840mW
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
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関連部品番号

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PMV55ENEA,215
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NDS8934
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