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TPH1R712MD,L1Q

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MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP

非準拠

TPH1R712MD,L1Q 価格と注文

単価 外貨価格
5,000 $0.54600 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 60A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.2V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 182 nC @ 5 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 10900 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 78W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOP Advance (5x5)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

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