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SI2308DS-T1-E3

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SI2308DS-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

非準拠

SI2308DS-T1-E3 価格と注文

単価 外貨価格
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500 $0 $0
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2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 160mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 240 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.25W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

PSMN1R6-40YLC:115
IPD09N03LA G
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$0 $/ピース
NVMFS6B25NLWFT3G
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$0 $/ピース
IRF8721PBF
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$0 $/ピース
IXTH420N04T2
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$0 $/ピース
SQ3442EV-T1-GE3
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$0 $/ピース
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AON6444L
IRFR13N15DPBF
STH110N10F7-6
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$0 $/ピース

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