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SI2316DS-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

非準拠

SI2316DS-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.30510 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.9A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 50mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 800mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 215 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 700mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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