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SI2323CDS-T1-GE3

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SI2323CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3

compliant

SI2323CDS-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.32205 -
6,000 $0.30115 -
15,000 $0.29070 -
30,000 $0.28500 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 25 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1090 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

IXFZ520N075T2
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SISA66DN-T1-GE3
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IRFI4410ZPBF
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IXFA12N65X2-TRL
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IRF620PBF
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DMN4020LFDE-13
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