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SI2366DS-T1-BE3

SI2366DS-T1-BE3

SI2366DS-T1-BE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

非準拠

SI2366DS-T1-BE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.48000 $0.48
500 $0.4752 $237.6
1000 $0.4704 $470.4
1500 $0.4656 $698.4
2000 $0.4608 $921.6
2500 $0.456 $1140
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.5A (Ta), 5.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 36mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 335 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

AO4494
IXTA3N120HV-TRL
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$0 $/ピース
SIHG22N50D-E3
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$0 $/ピース
SIHD4N80E-GE3
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$0 $/ピース
BUK7Y18-75B,115
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$0 $/ピース
SCTWA20N120
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$0 $/ピース
PMV30XPEAR
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$0 $/ピース
TK290P60Y,RQ
PJD100N04_L2_00001

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